बुनियादी विनिर्देश
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कक्ष |
210 मिमी आधा कट |
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वज़न |
38 किग्रा ± 3% |
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आयाम |
2384 ± 2MMX1303 × 2 मिमी × 35 मिमी |
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फ्रंट ग्लास |
2। 0 मिमी (0। 08 इंच), उच्च संचरण, एआर लेपित गर्मी मजबूत कांच |
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पीछे का कांच |
2। 0 मिमी (0। 08 इंच), गर्मी मजबूत ग्लास (सफेद ग्रिड ग्लास) |
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कोशिकाओं की संख्या |
132(6×11+6×11) |
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जंक्शन बॉक्स |
68,3diods से अधिक या बराबर आईपी |
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केबल कनेक्टर |
4 मिमी, सकारात्मक (+) 350 मिमी, नकारात्मक (-) 230 मिमी (कनेक्टर शामिल) Risen Twinsel PV-SY02, IP68 |
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प्रति पैलेट मॉड्यूल |
31/36PIECES |
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40hq प्रति मॉड्यूल |
558PIECES |
यांत्रिक आरेख
टिप्पणी: अनुरोध पर उपलब्ध अनुकूलित फ्रेम रंग और केबल की लंबाई उपलब्ध है
उत्पाद लाभ
1। बढ़ाया बिजली उत्पादन:HJT सौर पैनलों को उच्च दक्षता वाले मल्टी-बसबार एन-टाइप HJT कोशिकाओं के साथ इकट्ठा किया जाता है, जो पारंपरिक कोशिकाओं की तुलना में अधिक बिजली उत्पादन की पेशकश करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप आपके सौर ऊर्जा प्रणाली के लिए बिजली उत्पादन में वृद्धि होती है।
2। बेहतर तापमान प्रदर्शन:HJT सौर पैनलों का आधा सेल कॉन्फ़िगरेशन बेहतर तापमान-निर्भर प्रदर्शन प्रदान करता है, गर्म मौसम की स्थिति में भी इष्टतम दक्षता बनाए रखता है।
3। छायांकन प्रभाव कम:HJT सौर पैनल छायांकन से कम प्रभावित होते हैं, क्योंकि मॉड्यूल का आधा सेल कॉन्फ़िगरेशन पैनल के अनचाहे हिस्से से ऊर्जा उत्पादन को सक्षम बनाता है, तब भी जब पैनल का हिस्सा छाया के नीचे होता है।
4। गर्म स्थानों का जोखिम कम:HJT सौर पैनलों में हॉट स्पॉट विकसित करने का जोखिम कम होता है, जो सौर पैनल की दक्षता को नुकसान पहुंचा सकता है या कम कर सकता है। यह एक लंबी उम्र और अधिक सुसंगत ऊर्जा उत्पादन की ओर जाता है।
5। बढ़ाया यांत्रिक सहिष्णुता:HJT सौर पैनलों को यांत्रिक लोडिंग का सामना करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो उन्हें मजबूत और टिकाऊ बनाता है, और चरम मौसम की स्थिति का सामना कर सकता है, जो विश्वसनीय सौर ऊर्जा उत्पादन के वर्षों को सुनिश्चित करता है।
एसटीसी में विद्युत पैरामीटर
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प्रकार |
Jam132s -695 h |
Jam132s -700 h |
Jam132s -705 h |
Jam132s -710 h |
Jam132s -715 h |
Jam132s -720 h |
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अधिकतम शक्ति pmax |
695W |
700W |
705W |
710W |
715W |
720W |
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ओपन सर्किट वोल्टेज वीओसी |
49.74V |
49.83V |
49.92V |
50.01V |
50.10V |
50.19V |
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अधिकतम शक्ति वोल्टेज वीएमपी |
41.71V |
41.78V |
41.86V |
41.94V |
42.02V |
42.10V |
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शॉर्ट सर्किट वोल्टेज आईएससी |
17.74A |
17.82A |
17.91A |
18.00A |
18.09A |
18.18A |
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अधिकतम शक्ति वर्तमान एएमबी |
16.68A |
16.77A |
16.86A |
16.95A |
17.04A |
17.12A |
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मॉड्यूल दक्षता |
22.4% |
22.5% |
22.7% |
22.9% |
23.0% |
23.2% |
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शक्ति सहिष्णुता |
0~+5W |
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ISC का तापमान गुणांक (_ ISC) |
+0। 047%/ डिग्री |
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ISC का तापमान गुणांक (_ ISC) |
-0। 22%/ डिग्री |
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PMAX का तापमान गुणांक (_ pmp) |
-0। 24%/ डिग्री |
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एसटीसी |
विकिरण 1000w/m g, सेल तापमान 25 डिग्री, am1.5g |
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टिप्पणी: इस कैटलॉग में विद्युत डेटा एक भी मॉड्यूल का उल्लेख नहीं करते हैं और वे प्रस्ताव का हिस्सा नहीं हैं। वे केवल विभिन्न मॉड्यूल प्रकारों के बीच तुलना के लिए सेवा करते हैं।
एसटीसी में मापन सहिष्णुता: पीएमएक्स ± 3%, वीओसी, 2%और आईएससी%4%।
डायरेन्ट पावर बिन के साथ विद्युत विशेषताएं (10% विकिरण अनुपात का संदर्भ)
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प्रकार |
JAM132S -695H |
JAM132S -700H |
JAM132S -705H |
JAM132S -710H |
JAM132S -715H |
JAM132S -720H |
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अधिकतम शक्ति pmax |
765W |
770W |
776W |
781W |
787W |
792W |
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ओपन सर्किट वोल्टेज वीओसी |
49.74V |
49.83V |
49.92V |
50.01V |
50.10V |
50.19V |
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अधिकतम शक्ति वोल्टेज वीएमपी |
41.71V |
41.78V |
41.86V |
41.94V |
42.02V |
42.10V |
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शॉर्ट सर्किट वोल्टेज आईएससी (ए) |
19.51A |
19.60A |
19.70A |
19.79A |
19.88A |
19.98A |
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अधिकतम शक्ति वर्तमान एएमपी (ए) |
18.35A |
18.44A |
18.54A |
18.62A |
18.73A |
18.81A |
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विकिरण रेडियो (रियर/फ्रंट) 10% |
पावर बिफासिटी: 70%10%। |
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परिचालन की स्थिति
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अधिकतम तंत्र वोल्टेज |
1500VDC (IEC) |
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परिचालन तापमान |
40 डिग्री ~ +85 डिग्री |
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अधिकतम श्रृंखला फ्यूज |
35A |
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अधिकतम स्थैतिक भार, सामने |
5400pa, 1.5 |
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अधिकतम स्थैतिक भार, वापस |
2400pa, 1.5 |
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नोक |
45 ± 2 डिग्री |
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अनुप्रयोग वर्ग |
एक कक्षा |
HJT सौर पैनलों की रचना
1। उच्च दक्षता वाले हाइब्रिड कोशिकाएं:HJT सौर पैनल हाइब्रिड कोशिकाओं का उपयोग करते हैं जो क्रिस्टलीय सिलिकॉन और पतली-फिल्म प्रौद्योगिकियों दोनों के लाभों को जोड़ते हैं। यह एक उच्च दक्षता दर के लिए अनुमति देता है, जिसका अर्थ है कि HJT सौर पैनल पारंपरिक सौर पैनलों की तुलना में अधिक बिजली उत्पन्न कर सकते हैं।
2। उन्नत ग्लास सब्सट्रेट:एक उच्च गुणवत्ता वाले ग्लास सब्सट्रेट का उपयोग सौर कोशिकाओं को बाहरी कारकों जैसे गर्मी, आर्द्रता और यूवी विकिरण से बचाने के लिए किया जाता है। यह ग्लास सब्सट्रेट पीवी कोशिकाओं में सूर्य के प्रकाश के संचरण को अनुकूलित करने के लिए भी डिज़ाइन किया गया है, जो सौर पैनल की समग्र दक्षता में योगदान देता है।
3। एनकैप्सुलेशन लेयर:एनकैप्सुलेशन परत वह सामग्री है जो पैनल के अंदर सौर कोशिकाओं को घेरती है और सील करती है। HJT सौर पैनल एक उच्च-गुणवत्ता वाले एनकैप्सुलेशन परत का उपयोग करते हैं जो नमी, यूवी विकिरण और अन्य बाहरी कारकों के लिए प्रतिरोधी है जो समय के साथ कोशिकाओं को नुकसान पहुंचा सकते हैं।
4। बैक शीट:एक सौर पैनल की पिछली शीट नमी और अन्य पर्यावरणीय कारकों के खिलाफ सुरक्षा की एक अतिरिक्त परत प्रदान करती है। HJT सौर पैनल पैनल के अंदर कोशिकाओं और इलेक्ट्रॉनिक्स की सुरक्षा के लिए एक उच्च-गुणवत्ता वाली बैक शीट का उपयोग करते हैं।
5। फ्रेम:एक सौर पैनल का फ्रेम एक आवश्यक घटक है जो कोशिकाओं, कांच, एनकैप्सुलेशन परत और बैक शीट को एक साथ रखता है। HJT सौर पैनल एक हल्के और टिकाऊ एल्यूमीनियम फ्रेम का उपयोग करते हैं जो विभिन्न मौसम की स्थिति का सामना कर सकते हैं और पैनल के लिए अतिरिक्त स्थिरता प्रदान कर सकते हैं।
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लोकप्रिय टैग: HJT सौर पैनल, चीन HJT सौर पैनल निर्माता, आपूर्तिकर्ता, कारखाना